OCZ DDR2 Reaper HPC 2GB 800 Kit (2x1024) 4-4-4-15 $87.00 OCZ DDR2 SLI-Ready 2GB 800 Kit (2x1024) 4-4-4-15 $80.00 OCZ DDR2 Platinum Revision 2 2GB 800 Kit (2x1024) 4-4-4-15 $79.00 cho e hõi trong mí cái này cái nào dùng ổn nhất vì thông số nó như nhau chỉ khác cái kiủ dáng thui! e cũng ko ép xung nhìu đâu dùng df thấy cũng ổn rùi! e đg fân vân cái này để ráp máy mới dùng main asus P45 vga cũng asus lun. chỉ còn cặp ram là ko bik chọn sao e thấy con OCZ DDR2 SLI-Ready 2GB 800 Kit (2x1024) 4-4-4-15 này cũng ổn ổn. mong mí pro zúp e:hoanho:
so sánh thì mất cặp trên cũng xem xem nhau thôi chỉ khác là cái tản nhiệt. bro mua cây Platinum cho tiết kiệm. hiện giờ đang chạy cặp nào ở mức 1100 stable hàng ngày
Đợt hàng sx từ năm 2008 trở đi hầu hết đều là Powerchip, xài df thì tốt, OC nhẹ nhẹ thì ok, nhưng quá bus 960 là khó.
Điểm gì khác nhau giữa DDR2 và DDR3 ??? Trong một máy tính, 3 thành phần chính của hệ thống bạn thường phải cân nhắc khi mua mới hay nâng cấp là: CPU, RAM và card đồ họa. Trong đó, bạn dễ nhận thấy CPU và card đồ họa thay đổi và tiến triển với tốc độ chóng mặt, trong khi bộ nhớ RAM ít thay đổi nhất, và có thể là thành phần bạn ít phải đắn đo nhất khi lật dở bảng báo giá. Cũng như giai đoạn đi từ SDRAM DDR lên SDRAM DDR2, thời gian quá độ này khá dài (khoảng 1 năm) và SDRAM DDR3 vừa xuất hiện cách đây không lâu cũng mới ngấp nghé trong vài hệ thống thử nghiệm cao cấp, chưa thật phổ biến. Trong đầu bạn sẽ nghĩ ngay liệu DDR3 có hơn gì hệ thống DDR2 hiện thời của mình? Liệu có nên nâng cấp? Khi nào nâng cấp là thích hợp? Hay đơn giản DDR3 nhanh hơn DDR2 bao nhiêu? Tại sao có DDR3? Cách đây 3 năm, DDR2 xuất hiện và từ khi AMD đưa ra nền AM2 và Intel với Core 2 Duo thì DDR2 trở nên phổ biến. Và bây giờ, DDR3 nối gót và có thể xem đây là thay đổi tất yếu khi CPU và đồ họa thay đổi. Tốc độ chuẩn của DDR2 theo JEDEC trong khoảng từ 400MHz đến 800MHz (OCZ và Corsair có model DDR2 sau khi ép xung đạt tốc độ 1250MHz, thậm chí cao hơn), chỉ tương thích tốt nhất với các BXL có FSB tương ứng. Trong khi đó, về mảng chipset, dòng chipset mới của Intel có tên mã Bearlake (xuất hiện hồi tháng 6) tiêu biểu là P35 và G33, sau đó là G35 hỗ trợ FSB 1066MHz và X38 đến 1333MHz; dòng chipset NVIDIA nForce 680i/650i SLI cũng hỗ trợ đến 1066/1333MHz. Còn về BXL, CPU mới 2 nhân Intel X6800, E6700, E6600, 4 nhân có QX6700 và QX6600 đã đẩy FSB lên 1066MHz và sẽ tiếp tục dòng BXL mã Penryn trên công nghệ 45nm sẽ tiếp tục xuất hiện. Mới đây, Intel đưa ra 3 CPU: E6850, E6750 và E6650 hỗ trợ mặc định FSB đến 1333MHz. Bạn cũng có thể tham khảo kết quả thử nghiệm CPU QX6850 tại Test Lab.... Riêng AMD vẫn còn “kín tiếng” dù đã có một số thông tin ban đầu về BXL Agena và Phenom. Mặc dù vào lúc này, băng thông DDR2 thiết lập kênh đôi cao hơn tốc độ bus của BXL ngay cả khi bus BXL đạt 1333MHz nhưng theo Intel, bộ nhớ vẫn cần đến băng thông cao hơn nữa. Hiện thời, nếu DDR2-800 thiết lập kênh đôi chạy với chipset Intel P35 thì sẽ có băng thông ở 12,8GB/s trong khi nếu chạy với DDR3 chạy ở 1067MHz kênh đôi thì băng thông được đẩy lên đến 17,1GB/s. Tuy nhiên, có một trở ngại là dựa trên chuẩn SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) nên khi chuyển từ DDR2 lên DDR3 thì độ trễ thành phần của bộ nhớ cũng tăng lên. Có 2 thành phần quyết định tốc độ bộ nhớ: tần số và độ trễ. Khi ép xung bộ nhớ, không một dân ép xung kỳ cựu nào lại không biết một điều: ép tần số thì dễ nhưng ép giảm độ trễ thì khó hơn rất nhiều. Điều dễ hiểu vì thiết kế vật lý của RAM bị giới hạn trong từng chip bộ nhớ DRAM. Theo chuẩn thiết kế JEDEC, DDR2 mặc định tốc độ cao nhất là ở 800MHz và độ trễ 5-5-5 nhưng về sau, nhà sản xuất đã có thể đưa ra DDR2-800 ở độ trễ 3-3-3. Có thể nghĩ rằng Intel cũng đã có ảnh hưởng đến ngành công nghiệp bộ nhớ và các nhà sản xuất RAM đã chọn cách tăng tần số thay vì chọn cách giảm độ trễ để tăng hiệu năng chung của bộ nhớ. Tại sao? Vì theo nhiều đánh giá của giới chuyên gia thì các nhà sản xuất RAM sẽ chuyển sang công nghệ sản xuất DDR3 để có thể vượt qua ngưỡng về tần số và cải tiến độ trễ với chi phí thỏa đáng thay vì ở lại với DDR2 đã quá “chật chội”. Nét riêng của DDR3 Để có được tiếng nói chung, tổ chức JEDEC gồm 290 công ty tham gia (www.jedec.org) đưa ra đặc tả kỹ thuật cho bộ nhớ. Đương nhiên không phải loại RAM DDR nào cũng đều tuân theo quy chuẩn này. Ví dụ tốc độ DDR2 mà JEDEC đưa ra có chi tiết kỹ thuật về tần số từ 400MHz đến 800MHz nhưng một số công ty sản xuất đưa ra RAM ép xung mặc định DDR2 1066MHz, có tốc độ nhanh hơn thông số chuẩn, không tuân theo chuẩn JEDEC. Xét về hình thức, DDR3 cũng giống với DDR2, có 240 chân nhưng nếu bạn cắm thanh RAM DDR3 vào khe DDR2 sẽ không vừa vì rãnh chia của DDR3 khác DDR2. Để dùng được DDR3, bạn phải có bo mạch chủ hỗ trợ DDR3 hay chọn bo mạch hỗ trợ cả 2 chuẩn DDR2 và DDR3 (có 2 khe cắm cho riêng DDR2 và DDR3). Ví dụ, bo mạch chủ MSI dòng Combo gồm MSI P35 Platinum Combo, MSI P35 Neo Combo, hoặc Gigabyte có GA P35C-DS3R... (xem bảng 1) Theo JEDEC (xem bảng 2), bạn dễ nhận thấy DDR3 có tốc độ từ 800MHz đến 1600MHz. Như vậy có thể xem mốc 1333MHz là chuẩn thông thường của dòng DDR3 nếu dựa vào BXL sắp đến của Intel trên công nghệ 45nm sẽ có FSB 1333MHz. Hiện thời và trong tương lai gần, BMC, BXL FSB 1333MHz nhất là chipset vẫn sẽ hỗ trợ “ngược” với DDR2, nhưng với suy luận thông thường dựa trên tần số xung chúng ta dường như sẽ gặp phải “tình trạng thắt cổ chai” do hệ thống không khai thác hết luồng FSB của CPU. Tuy vậy, một số thử nghiệm ban đầu của chúng tôi tại Test Lab cho thấy sự khác biệt hiệu năng hệ thống giữa DDR2 và DDR3 vẫn chưa thực sự ấn tượng. Đến đây, bạn có thể phần nào cảm nhận được DDR3 xuất hiện do một phần “sức ép” của dòng cuốn CPU. Chúng ta sẽ thử xem xét 2 tốc độ cao nhất của mỗi chuẩn: DDR3-1600 và DDR2-800. Theo JEDEC, DDR3-1600 sẽ có độ trễ là 8-8-8, tương đương với 10ns (xem bảng 2). Trong khi đó, DDR2-800 đã đạt mức độ trễ 4-4-4 với thời gian tương đương 10ns. Nếu dựa trên chi tiết này, bạn sẽ dễ dàng đánh đồng về tốc độ của DDR2-800 tương đương với DDR3-1600 (bảng 2). Vậy tại sao độ trễ của DDR2 là 4-4-4 và sang DDR3 tăng lên 8-8-8? Tần số của DDR3 đạt 1600MHz, gấp đôi của DDR2 800MHz nhờ có thông số data prefetch của DDR3 gấp đôi DDR2. Data prefetch có nhiệm vụ chuyển dữ liệu từ DRAM lưu trữ thông tin sang bộ đệm xuất/nhập. DDR2 dùng mẫu 4-bit và DDR3 dùng mẫu 8-bit nên lưu lượng dữ liệu từ DRAM đến bộ đệm của DDR3 gấp đôi DDR2 nhưng vẫn chạy trên cùng một băng thông. Do vậy, đây là nguyên nhân dẫn đến độ trễ của DDR3 cao gấp đôi của DDR2. Ngoài ra, bộ đệm xuất/nhập của DDR3 phải tải nặng hơn DDR2. Điểm tiến bộ Nếu dựa vào chi tiết kỹ thụât trên, DDR3 không “đáng giá” so với DDR2. Tuy nhiên, ngoài tính năng trên, DDR3 hơn DDR2 về các mặt khác, trong số đó quan trọng nhất là điện thế. DDR3 dùng điện thế 1,5V trong khi DDR2 phải là 1,8V ở cùng tốc độ bus (trước đây, DDR phải đến 2,5V) nên sẽ làm giảm điện năng tiêu thụ. Hơn nữa, để cải thiện hơn nữa về năng lượng, DDR3 có chức năng làm tươi (refresh) theo vùng. Trước đây, DDR và DDR2 thực hiện chức năng refresh cho toàn bộ DRAM theo một chu kỳ nhất định, cả những DRAM đang ở trạng thái nghỉ (idle), do vậy tốn “tiền điện” vô ích. Còn DDR3 chỉ refresh theo chu kỳ những DRAM nào đang ở tình trạng hoạt động. Ngoài ra, DDR3 còn có bộ cảm biến nhiệt (chỉ là tùy chọn, không bắt buộc trong JEDEC) để giúp kỹ sư thiết kế quy định chu kỳ refresh tối thiểu nhằm cải thiện hơn nữa mức tiêu thụ điện năng có cơ chế bảo vệ để bộ nhớ hoạt động ở ngưỡng tối ưu; đây cũng là thước đo chính xác cho dân ép xung trong việc giám sát thành phần hệ thống. Bên cạnh điện thế thấp của DDR3, để tăng khả năng hợp nhất của các module, JEDEC đưa ra mô hình liên kết dạng Fly-by giữa các DRAM và dòng chuyển dữ liệu (mang địa chỉ, lệnh, tín hiệu điều khiển và xung nhịp đồng hồ của DRAM này sang DRAM khác). DDR2 dùng mô hình T và DDR3 cải tiến lên mô hình Fly-by. Trước đây, với mô hình T của DDR2, bạn có thể hình dung các lệnh và địa chỉ được đưa vào một cái phễu hình chữ T và được đổ xuống hết một lần cho các DRAM xử lý. Với mô hình Fly-by, dòng lệnh điều khiển và địa chỉ là dạng dòng đơn, duy nhất chạy từ DRAM này sang DRAM khác. Mô hình Fly-by nhờ bộ điều khiển để đưa ra độ trễ tín hiệu tự động ở DRAM và mỗi DRAM có một mạch điện cân chỉnh tự động và lưu lại dữ liệu cân chỉnh cho riêng module DRAM đó. Thay đổi mô hình từ T sang Fly-by cũng dẫn đến phải thay đổi các thuật toán đọc/ghi dữ liệu. Về lý thuyết, mô hình này rút ngắn được thời gian phân bổ dữ liệu đến DRAM hơn so với mô hình T. Một điểm nổi trội của DDR3 chính là dung lượng chip được tăng lên đáng kể, có thể nói là gấp đôi so với DDR2. Một chip DDR3 có dung lượng từ 512Mb đến 8Mb, điều này có nghĩa là dung lượng một thanh RAM DDR3 có thể đạt đến 4GB. Tuy DDR3 chưa thực sự cất cánh trong năm nay, nhưng theo dự đoán của các nhà phân tích (biểu đồ), bạn có thể thấy được từ nay đến 2012, DDR3 sẽ bắt đầu phổ biến hơn và DDR2 sẽ dần dần biến mất, cũng như DDR đến năm 2008 sẽ hầu như không còn xuất hiện trên thị trường. Xa hơn nữa, DDR4 sẽ xuất hiện năm 2011. Theo PC World VN Tham khảo: JEDEC, X-bit, Anantech Sự khác nhau giữa DDR2 và DDR3 Hoạt động với tần số cao hơn DDR3 sẽ chạy với tần số xung nhịp từ 800MHz tới 1666MHz. Điều này sẽ gấp đôi so với tần số làm việc của bộ nhớ DDR2 ( từ 400 MHz tới 800 MHz ). Nó sẽ mang lại hiệu suất hoạt động cho hệ thống khi thời gian Đọc/Ghi còn một nửa. Dùng điện áp thấp và công suất thấp DDR3 hoạt động với điện áp cung cấp là 1.5V so với 1.8V khi dùng bộ nhớ DDR2 . Như vậy đó cũng là một nhân tố tác động tới tiết kiệm công suất , khoảng 16% . Thông thường khi tăng tần số làm việc của xung nhịp cho bộ nhớ thì công suất tiêu thụ cũng tăng lên . Cùng với nó , kích thước của Chip nhớ ( Die ) cũng giảm đi khi nó được xử lí sản xuất với công nghệ xử lí nhỏ hơn ( ví dụ như 65nm hoặc 45nm ) nên giúp cho giảm công suất tiêu thụ của DDR3 , cho chỉ số gấp hai lần giữa Hiệu suất / Công suất tiêu thụ . Bộ nhớ DDR3 cũng tích hợp với phần bảo tồn năng lượng có đặc điểm gần giống như chu kì làm tươi ( Refresh ) trong bộ nhớ . Nó có đặc điểm dùng bộ cảm biến nhiệt để cho phép hệ thống cung cấp chu kì Refresh nhỏ nhất khi hệ thống không cần mức độ yêu cầu cao để tiết kiệm năng lượng . Nhiều băng nhớ bên trong Để tăng tốc độ hệ thống hơn nữa , DDR3 gồm 8 băng nhớ bên trong so với 4 băng nhớ bên trong của DDR2 . Khi tích hợp nhiều băng nhớ cho phép giảm thời gian tìm kiếm dữ liệu nên giảm thời gian trễ của bộ nhớ . Với nhiều cách điều tiết ( Registry ) khác nhau Bởi vì có nhiều đặc điểm lựa chọn , nên bộ nhớ DDR3 sẽ có nhiều tính năng mới . Kiểu Mode Register ( MRS ) được thiết kế lại cho nhanh hơn và với hiệu suất cao hơn trong hệ thống bộ nhớ . Cấu trúc hình học của bộ nhớ “Fly-by” Do làm việc với tần số cao hơn , DDR3 sẽ bị ảnh hưởng nhiều tới tính toàn vẹn của tín hiệu của thanh nhớ DIMM . Tại những tần số cực kì cao , đường dẫn tín hiệu không được quá dài nhưng lại phải tới được từng ô nhớ DRAM . Cấu trúc hình học của đường tín hiệu này được gọi với cái tên là “Fly-by” khác với cấu trúc hình học của DDR2 là “T Branches “ . Điều đó có nghĩa là những đường địa chỉ và đường điều khiển sẽ chỉ là một đường duy nhất làm thanh một chuỗi từ một DRAM tới DRAM khác thay thế cho kiểu cấu trúc hình học T mà thành nhánh trong thanh nhớ DDR2 . Với cấu trúc này không làm ảnh hưởng tới sự cân bằng tín hiệu trong quá trình truyền tín hiệu ở tần số làm việc cao . Mỗi bộ nhớ DDR DRAM phải tự động mức dòng điện cho kích cỡ của nó và ghi nhớ kích cỡ dữ liệu . Những kỹ thuật khác nhau trong hệ thống bộ nhớ DDR3 Để đạt được hiệu suất bộ nhớ cao nhất trong hệ thống thì tần số của FSB cũng phải đạt được kèm theo nó. Điều kiện tốt nhất phải có FSB chạy cùng với tần số thực hiện công việc của bộ nhớ. Đó là 800 MHz tới 1600 MHz . Điều này đặt lên gánh nặng cho bộ vi xử lí và cho Chipset. Nói một cách khác với tần số làm việc cao hơn thì có nghĩa là nhiều vấn đề nảy sinh liên quan tới tính toàn vẹn của tín hiệu trên đường truyền . Những kĩ sư thiết kế Mainboard và những Module của nó phải sử dụng những thiết bị kiểm tra chuyên dụng và có giá thành cao, họ thường dùng những thiết bị theo dõi hiệu suất bộ nhớ trị giá khoảng 100.000 USD. Công nghệ Timing “ Fly-By” đặt gánh nặng lên xác định hệ thống . Hệ thống bô nhớ được xác định mỗi khi máy tính được bật . Phần điều khiển và mạch DRAM thiết kế cho phép việc làm này là tự động . Để làm việc tự kiểm tra xác định này , thì cần mạch điện thêm vào phần điều khiển bộ nhớ và DRAM và phải rất thông minh . Vùng thêm này được tích hợp vào bên trong Chip nhớ , điều đó có thể làm tăng giá thành của hệ thống . Tốc độ của hệ thống bộ nhớ DRAM tăng lên , đi kèm theo với nó là dung lượng của bộ nhớ Cache trong CPU cũng tăng lên . Những bộ vi xử lí mới có 1MB tới 2MB Cache cho mỗi lõi . Điều đó cũng có nghĩa là có thể không cần tới bộ nhớ chính trên Mainboard cho những ứng dụng không liên quan tới đồ họa . Như vậy sẽ cũng có thể không cần thiết quan tâm tới việc tăng hiệu suất khi dùng DRAM nhanh hơn với những ứng dụng thông thường . Chính vì thế chúng ta chỉ nên quan tâm tới hiệu suất của bộ nhớ DDR3 đối với những ứng dụng cao cấo như đồ họa . Một vấn đề khác liên quan tới số của khe cắm thanh nhớ yêu cầu trên Mainboard . Đặc điểm kỹ thuật của bộ nhớ DDR3 cho phép dùng nhiều nhất hai hàng nhớ trên một kênh mà có tần số thấp hơn 800 MHz tới 1300 MHz . Chỉ có một khe cắm bộ nhớ duy nhất hoạt động với tần số 1600 MHz . Địa chỉ / Lệnh đối với bộ nhớ DDR3 kiểu Unbuffered ( không cần bộ đệm ) là kiểu một đường “Fly-By” , trong khi đặc tính kỹ thuật của thanh nhớ DDR3 Registered là đường chia kiểu T trước khi tới DRAM riêng biệt ( như hình trên ) . Như vậy thanh nhớ DDR3 Registered rất phức tạp , kiểu này lại còn yêu cầu đồng hồ cho bộ đệm (PLL) trên cùng một thanh nhớ . Nói tóm lại kỹ thuật của DDR3 còn ở phía trước và sẽ được kiểm chứng trong một thời gian gần đây . Những thuận lợi của bộ nhớ DDR3 trong ứng dụng thực tế Để DDR3 trở nên thông dụng thì cần giải quyết hai vấn đề : giá cả và hiệu suất sử dụng . Với việc sử dụng điện áp thấp và tiết kiệm năng lượng là rất tốt trong máy tính xách tay và những ứng dụng di động . Những thiết bị di động và cầm tay hay sử dụng các ứng dụng Multimedia vì thế mà bộ nhớ kiểu DDR3 sẽ có chỗ đứng trong đó . Thị trường người tiêu dùng tiếp nhận công nghệ mới nhưng lại kèm theo cần một giá cả hợp lí. Việc bộ nhớ DDR3 sẽ trở nên thông dụng khi sử dụng nhiều những ứng dụng liên quan tới đồ họa trong những thiết bị cầm tay và trong các máy chơi Game.... Những bộ nhớ DDR3 ban đầu làm việc với tần số 800MHz tới 1066MHz sẽ chồng chéo lên những bộ nhớ DDR2 cũng với cùng tần số, người dùng sẽ không quan tâm nhiều đến hiệu suất do cũng không thấy sự chênh lệch nhiều. Những họ sẽ chú ý nhiều hơn với tần số cao hơn 1333MHz . Theo tỉ lệ giữa Hiệu suất/Giá cả, thì bộ nhớ DDR3 gặp vấn đề khó khăn khi sử dụng Chip 2Gbit . Đối với những nhà sản xuất DRAM thì việc sản xuất Chip 2Gb với mức tiêu thụ công suất thấp, công nghệ sử lí sản xuất 50nm hoặc 60nm sẽ được dùng. Điều đó sẽ cho phép cơ hội cho nhà sản xuất DRAM. Theo dự tính điều này sẽ đạt được vào cuối năm 2008. Điều đó có nghĩa là bộ nhớ DDR3 sẽ còn gặp khó khăn về giá cả so với bộ nhớ DDR2 cho tới trước Quý 4 năm 2008.
