These are all contents from amtech.vn - Giải đáp thắc mắc về công nghệ tagged chip nhớ.
Vụ mất điện xảy ra vào hôm 9/3 vừa qua tại một trong những nhà máy sản xuất chip nhớ NAND Flash của Samsung ở thành phố Pyeongtaek, Hàn Quốc, sẽ gây ra tác động mạnh mẽ đến thị trường chip nhớ toàn cầu. Cụ thể, sản lượng linh kiện này đã giảm đi 3.5% trong tháng 3/2018, đây là một con số không nhỏ khi nó có thể ảnh hưởng đến hàng triệu thiết bị di động sản xuất ra thị trường. Thông qua vụ việc này, Samsung cũng chịu tổn thất lớn với lượng chip nhớ mất đi đến 11% trong tháng này. Quá trình sản xuất chip nhớ cực kỳ nhạy cảm và sự cố mất điện xảy ra có thể gây hư hại đến 60.000 bóng bán dẫn của chip NAND Flash. [img] Sự việc này đã khiến giá thành chip nhớ NAND Flash toàn cầu tăng chóng mặt dù trước đây có nhiều tin tức cho biết Samsung và các nhà sản xuất lớn tích cực tăng cường sản lượng trong Quý 1 năm nay. Samsung sẽ mở rộng chuỗi nhà máy sản xuất chip nhớ của mình tại thành phố Tây An, Trung Quốc có năng suất 120000 bóng bán dẫn mỗi tháng, và dự kiến sản xuất đến 320000 bóng bán dẫn một tháng sau khi hoàn tất quá trình mở rộng nhà máy. Nguồn: TechPowerUp
DRAMeXchange, bộ phận nghiên cứu thị trường chip nhớ thuộc tập đoàn TrendForce, mới đây đã đưa ra thông tin dự đoán nguồn cung linh kiện bộ nhớ RAM nhiều khả năng sẽ không đáp ứng được nhu cầu thị trường trong năm 2018. Thực tế thì điều này đã được DRAMeXchange cảnh báo từ tháng 4 năm nay. Tuy nhiên, nguyên nhân khiến cho nguồn cung chip nhớ giảm sút có thể do mục đích mang tính chủ ý từ ba nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới là Samsung, Micron và SK Hynix. Cả ba hãng này đang thiết lập nguồn cung chip nhớ thấp hơn so với mức yêu cầu để có thể nâng giá thành theo quy luật cung cầu. TrendForce cho biết với những động thái này từ 3 ông lớn Samsung, Micron và SK Hynix, mục tiêu của họ là có thể giữ giá chip nhớ năm sau ở mức cao như hiện nay. Như thế, lợi nhuận thu được của 3 nhà sản xuất luôn được đảm bảo ở mức rất tốt. https://www.techpowerup.com/img/n4thb3FdmijppBF1.jpg Năng lực sản xuất chip nhớ DRAM được dự đoán sẽ tăng hơn 19.6% trong năm 2018; tuy nhiên, tỷ lệ này lại thấp hơn so với nhu cầu thị trường vốn được xác định ở mức 20.6%. Qua đó, năm 2018 chúng ta sẽ được chứng kiến sự thiếu hụt chip nhớ ở những kênh cung cấp linh kiện quốc tế. Điều này có thể dẫn đến hai trường hợp giá thành chip nhớ có thể ổn định như hiện nay hoặc tăng thêm theo nhiều mức độ. Nên nhớ, sản xuất linh kiện bán dẫn không phải là quá trình đơn giản, nhiều báo cáo cho rằng cả ba ông lớn Samsung, Micron và SK Hynix đang tranh giành thị phần chip nhớ rất khốc liệt, và họ đang nỗ lực xây dựng nhà máy sản xuất mới nhưng lại gặp nhiều khó khăn có thể là do tài chính hoặc thời gian không đủ đáp ứng. Dù vậy, mục đích cuối cùng mà các công ty sản xuất chip nhớ như Samsung, Micron và SK Hynix là giá thành linh kiện này tăng lên có thể sẽ trở thành sự thật trong năm 2018 với những động thái mà họ đang thực hiện vào thời điểm này. https://www.techpowerup.com/img/YQa6N0frmhDlB9uD.jpg Nguồn: TechPowerUp
Công nghệ chip nhớ Hybrid Memory Cube được một nhóm các nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới gồm Samsung Electronic và Micron Technology nghiên cứu, phát triển cách đây không lâu nhằm vượt qua những giới hạn công nghệ DDR3 và DDR4 SDRAM hiện nay. [IMG] Tương tự kỹ thuật xếp chồng nhiều lớp DRAM trong kiến trúc đồ họa Volta nhằm giải quyết bài toán “nghẽn cổ chai” băng thông bộ nhớ mà Nvidia vừa chia sẻ tại hội thảo công nghệ chip xử lý đồ họa (GPU Technology Conference) của hãng, Hybrid Memory Cube cũng ghép nối nhiều lớp chip DRAM trên cùng một lớp vật lý (logic layer) và chia sẻ kết nối liên tuyến theo phương dọc trong không gian 3 chiều (công nghệ Vertical Interconnect Access). [IMG] Bên cạnh đó, việc thiết kế các chip xử lý (CPU) và chip nhớ Hybrid Memory Cube nằm trên cùng đế bán dẫn mang lại băng thông nhanh hơn và lớn hơn cho việc truy xuất dữ liệu giữa chip xử lý và chip nhớ. Công nghệ chip nhớ này có khả năng cung cấp băng thông mức 160 GB/giây và có thể đạt tối đa là 320 GB/giây; cao hơn gần 15 lần so với chip DDR3 tiêu chuẩn (11 GB/giây) và gấp 8 lần so với mức 20 GB/giây của DDR4 trong khi mức tiêu thụ điện năng chỉ bằng khoảng 70% DDR3. Nguồn sohoa
Samsung bắt đầu sản xuất chip nhớ nhúng dung lượng 64 GB dành cho các thiết bị di động. Chip nhớ này được xây dựng trên quy trình công nghệ 10 nm nên nhỏ hơn 20% so với chip nhớ hiện nay và hiệu suất nhanh hơn 30%. Theo Samsung, chip nhớ mới sẽ giúp các thiết bị di động mỏng và nhẹ hơn, có tốc độ đọc và ghi nhanh hơn gấp 10 lần tốc độ của thẻ nhớ ngoài. Cụ thể, tốc độ đọc và ghi của chip 64 GB mới là 260 MBps và 50 MBps, nhanh hơn so với tốc độ đọc và ghi tương ứng của thẻ nhớ microSD Class 10 là 24 MBps và 12 MBps. [IMG] Samsung cho biết chip 64 GB mới sẽ sử dụng chuẩn mới và hãng này sẽ đệ trình chuẩn đó lên các tổ chức tiêu chuẩn quốc tế vào năm tới. Như vậy, nhiều khả năng chúng ta sẽ được sử dụng chip nhớ này trong Samsung Galaxy S IV, iPhone 5S hoặc iPhone 6 dự kiến ra mắt vào năm tới. Hoa Nguyễn
Chip nhớ flash mới của Samsung sẽ có tốc độ nhanh gấp 4 lần so với các dòng chip trước, giúp điện thoại thông minh, máy tính bảng xử lý các tác vụ nặng như game hay phime 3D một cách "nuột nà" hơn. Samsung Electronics cho biết, hãng đã bắt đầu đưa vào sản xuất đại trà dòng chip nhớ lưu trữ flash eMMC (embedded Multimedia Card) Pro Class 1500 mới dành cho các thiết bị di động như điện thoại thông minh (smartphone) và máy tính bảng (tablet). [IMG] Chip eMMC Pro Class 1500 sẽ có các mức dung lượng từ 16GB đến 64GB, và theo Samsung, sẽ cung cấp tốc độ nhanh nhất trong các thiết bị chip nhớ nhúng. Tốc độ đọc và ghi nhanh của chip nhớ là một yếu tố rất quan trọng cho các tác vụ như chơi game hay xem phim 3D, nhằm giúp thiết bị xử lý nhanh hơn. Chip nhớ mới của Samsung có tốc độ đọc tuần tự lên đến 140MB/s và tốc độ ghi tuần tự 50MB/s. Tốc độ đọc ngẫu nhiên của dòng chip nhớ này đạt 3500 IOPS (phép tính vào/ra trong mỗi giây) và tốc độ ghi ngẫu nhiên đạt 1500 IOPS. Samsung cho biết, chip nhớ flash eMMC 64GB nặng chỉ khoảng 0,6g. Chip lưu trữ này sẽ được nhúng vào trong các thiết bị di động. Chip nhớ mới của Samsung được sản xuất theo qui trình 20nm, trong khi chip nhớ 64GB trước đây dùng qui trình 30nm. Samsung lần đầu tiên cung cấp chip lưu trữ 64GB dùng 2 mô-đun 32GB vào năm 2010, và chip mới được giới thiệu này cũng sẽ sử dụng điện năng hiệu quả hơn. Samsung hiện chưa cung cấp thông tin khi nào chip nhớ mới này sẽ có mặt trong các thiết bị di động. H.Thắng
