SamSung Electronic ra mắt chip nhớ DRAM dành cho thiết bị di động với tên gọi LPDDR4 8Gigabit.

[Amtech.vn] Hôm nay, tập đoàn SamSung Electronic vừa chính thức công bố việc sản xuất bộ nhớ đầu tiên có băng thông 8 gigabit (Gb). Đây là sản phẩm DRAM cho thiết bị di động được thiết kế dựa trên công nghệ 20 nanometer(nm) với điện năng tiêu thụ gấp đôi tốc độ truyền dữ liệu 4(LPDDR4: low power double data rate 4). Có thể nói sản phẩm bộ nhớ LPDDR được sử dụng rộng rãi trên các thiết bị di động hiện nay.

Theo ông Joo Sun Choi, Phó chủ tịch Sale và Marketing của tập đoàn SamSung Electronics nói: “ Việc sản xuất bộ nhớ LPDDR4 có dung lượng 8GB với công nghệ 20nm không chỉ nhanh hơn DRAM dành cho các máy tính và máy chủ hiện nay mà còn sử dụng ít năng lượng và đáp ứng kịp thời cho các thiết bị có màn hình kích thước lớn với độ phân giải UHD”. “Những cái tiến lớn trong việc sản xuất bộ nhớ cho các điện thoại di động cho thấy chúng tôi sẽ tiếp tục hợp tác với các nhà sản xuất thiết bị di động trên toàn cầu nhằm tối ưu hóa các giải pháp về bộ nhớ DRAM để phù hợp với các phiên bản tiếp theo của hệ điều hành trên điện thoại di động.”

Công nghệ mới 20nm trên sản phẩm LPDDR4 8Gb mang lại mật độ và hiệu năng gấp 2 lần so với LPDDR3 4Gb. Chip LPDDR4 8Gb mới với dung lượng 4GB được tạo ra. Sản phẩm này được bình chọn ở hạng mục công nghệ nhúng tại CES Innovation Awards 2015. SamSung đã trở thành công ty duy nhất đã giành được giải thưởng CES Innovation 3 năm liên tục về các giải pháp bộ nhớ DRAM trên thiết bị di động như LPDDR3 2GB năm 2013 và LPDDR3 3GB năm 2014. Sản phẩm có tốc độ truy xuất lên đến 3200(Mbps), nhanh hơn gấp 2 lần so với bộ nhớ DRAM DDR3 sử dụng trong các máy tính hiện nay. Sản phẩm LPDDR4 8Gb mới còn hổ trợ quay video và phát lại với độ phân giải UHD, chụp hình liên tục với độ phân giải trên 20 megapixel.

Điện năng tiêu thụ cho chip nhớ LPDDR4 này trên điện thoại di động đã được giảm xuống còn 1.1v so với chip nhớ LPDDR3, đáp ứng được nhu cầu các điện thoại thông minh(smart phone) có màn hình lớn, máy tính bảng.và các hệ thống mạng đòi hỏi hiệu năng cao. Ví dụ: cùng gói dữ liệu có dung lượng 2GB,LPDDR4 8Gb có thể tiết kiệm khoản 40% điện năng tiêu thụ và xử lý nhanh hơn so với LPDDR3 4Gb.SamSung đã sử dụng công nghệ điện áp thấp độc quyền(LVSTL) cho tín hiệu I/O, việc này đã giúp cho chip nhớ LPDDR4 mới tiêu thụ điện năng giảm hơn một nữa nhưng vẫn hoạt động ở tần số cao.

Trong tháng này, SamSung đã bắt đầu cung cấp LPDDR4 2GB và LPDDR4 3GB nhằm hổ trợ các bộ vi xử lý ứng dụng và các nhà sản xuất thiết bị di động. Sản phẩm LPDDR4 4GB sẽ được cung cấp chính thức vào nằm 2015. SamSung dự kiến sẽ tăng khối lượng sản xuất sản phẩm DRAM 20nm bao gồm cả LPDDR4 8Gb mới cho các thiết bị di động và các máy chủ nhằm đáp ứng tốt hơn nhu cầu của khách hàng và đẩy mạnh tốc độ tăng trưởng của thị trường DRAM hiện nay.